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【2h】

β‑Ga2O3 Nanomembrane Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Steep Subthreshold Slope for Wide Band Gap Logic Applications

机译：具有陡峭亚阈值斜率的β-Ga2O3纳米膜负电容场效应晶体管用于宽带隙逻辑应用

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Mengwei Si; Lingming Yang; Hong Zhou; Peide D. Ye;
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年度 2017
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